İyileştirilmiş akım geribeslemeli işlemsel kuvvetlendirici ile sinusoidal osilatör tasarımı

Abstract

Bu çalışmada yeni bir aktif eleman olan iyileştirilmiş aktif geri beslemeli (MCFOA) blok devresi yardımıyla farklı osilatör topolojileri gerçekleştirilmiştir. Bu osilastör yapıları gerçekleştirilirken sadece bir adet MCFOA yapısı ve en fazla beş adet pasif eleman kullanılmıştır. Gerçekleştirilen osilatör yapılarının osilasyon kriterleri ve osilasyon frekansları detaylı olarak incelenmiştir. Ayrıca MCFOA yapısındaki akım ve gerilim izleme hatalarından kaynaklanan idealsizlik etkileri de ayrıca incelenmiştir. Simülasyonlar SPICE programı yardımıyla yapılmış ve 0.35 µm TSMC CMOS teknoloji parametreleri kullanılmıştır. Ayrıca kullanılan devrede besleme gerilimi olarak Vdd=-Vss=1.65 V alınmıştır. Gerçekleştirilen devrelerde osilasyon kriterlerinin osilasyon frekansı etkilemeyeck şekilde olmasına da dikkat edilerek tasarımlar gerçekleştirilmiştir. Simülasyon sonuçları teorik sonuçlar ile karşılaştırılmış ve makalede verilmiştir.

In this study, different oscillator topologies have been realized with the help of a new active element, Modified Current-Feedback Operational Amplifier (MCFOA). Only one MCFOA element and a maximum number of five passive elements were used during the design of the oscillator circuits. The oscillation criteria and oscillation frequencies of the oscillator structures have been examined in detail. In addition, the non-ideality effects of MCFOA block, due to the current and voltage tracking errors, were also examined. The simulations were performed with SPICE program and 0.35 μm TSMC CMOS technology parameters were used. The supply voltages are chosen as Vdd=-Vss=1.65 V. It is ensured that the oscillation condition criteria in the circuits does not affect the oscillation frequency. Simulation results are compared with theoretical results and presented in paper.