Moleküler katman biriktirme (MLD) yöntemiyle organik - inorganik hibrit alukon ince filmlerin oluşumu

Abstract

Bu çalışmada MLD (Moleküler Katman Biriktirme) yöntemi ile hibrit alukon ince filmler biriktirilmiştir. Hibrit alukon ince filmler; silisyum tabaka, cam lamel ve cam kumaş yüzeyler üzerinde üretilmiştir. TMA-EG ve TMA-GL olarak farklı prekürsörler kullanılıp, iki farklı alukon üretimi gerçekleştirilmiştir. Üretim sırasında birikme oranının takibi için QCM cihazından yararlanılmıştır. Kaplama yapılmış olan yüzeyler üzerinde FT-IR analizi ile yüzey kimyasına bakılmıştır. Silisyum tabaka üzerinde film kalınlığının tespiti amacıyla elipsometre analizi yapılmıştır. Hibrit alukon ince filmin üretimi sırasında kontrolsüz büyüme, oksidasyon ve sızma gibi durumlar ile karşılaşılmış olup çözümler üretilmiştir.

In thus study, hybrid alucone thin films were deposited by the MLD (Molecular Layer Deposition) method. Hybrid alucone thin films; ıt is produced on silicon wafer, glass slide and glass fabric surfaces. Two different alucons were produced by using different precursors as TMA-EG and TMA-GL. QCM device was used to monitor the accumulation rate during production. Surface chemistry was examined by FT-IR analysis on coated surfaces. In order to determine the film thickness on the silicon layer, ellipsometry analysis was performed. During the production of hybrid alucone thin film, situations such as uncontrolled growth, oxidation and infiltration were encountered and solutions were produced.