Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan n-Si/Cu, p-Si/Cu Schottky diyotlarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal – yarıiletken Schottky bariyer diyotlar incelenmiştir. Schottky bariyer diyot, n-Si ve p-Si üzerine elektrodepozisyon yöntemi kullanılarak Cu depozite edilmesiyle oluşturulmuştur. Her iki durumdada oluşan Schottky diyoda ait akım-gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)’nın V’ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) hesaplanmıştır. I – V ölçümlerinin yanı sıra birde C – V ölçümleri alınmıştır. Ayrıca Cu filmi sabit akım modu kullanılarak n-tipi Si(100) üzerine elektrodepozit edilmiştir. Cu/n-Si’a ait elektriksel özellikler birkaç farklı sıcaklıkta incelenmiştir.

In this work, Schottky barrier diode which is a metal – semiconductor contact and possesses rectifying properties have been observed. Schottky barrier diode was performed by electrodepositing Cu film on n-Si and p-Si substrate. The characteristic of current applied voltage has been investigated and ideality factor (n) calculated by using the slope ln(I) versus V. Also barrier height (ΦB) is found. I – V measurement is followed by C – V measurement on the sample. Also Cu film was electrodeposited on n-type Si(100) substrate using constant current mode. The electrical properties of Cu/n- Si were investigated at several temperatures.