Si(100) üzerinde ince Ag film oluşturulması ve özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal - yarıiletken Schottky bariyer diyotlarla çalışılmıştır. Schottky bariyer diyot silisyum üzerine gümüş kaplanmasıyla oluşturulmuştur. Akım ve gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)'nın V'ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği (θb) hesaplanmıştır. 1 - V ölçümlerinden sonra C - V ölçümleri alınmıştır. C - V ve I - V ölçümlerinden bulunan bariyer yükseklikleri karşılaştırılmıştır.

In this work, Schottky barrier diode which is a metal - semiconductor contact and possesses rectifying properties have been studied. The characteristic of current applied voltage has been investigated and ideality factor (n) calculated by using the slope ln(I) versus V. Also barrier height (θb) is found. I - V measurement is fallowed by C - V measurement on the sample. Barrier height which were calculated both C - V and I - V measurements, has been compared.