Bu öğeden alıntı yapmak, öğeye bağlanmak için bu tanımlayıcıyı kullanınız:
http://hdl.handle.net/11452/12260
Başlık: | Impedance spectroscopy and dielectric relaxation in phthalocyanine thin film |
Diğer Başlıklar: | Ftalosiyanin ince filmde empedans spektroskopi ve dielektrik durulma |
Yazarlar: | Can, Nursel Altındal, Ahmet |
Anahtar kelimeler: | Phthalocyanine Impedance Relaxation Ac conductivity CBH mode Ftalosiyanin Empedans Durulma Ac iletkenlik CBH model |
Yayın Tarihi: | 16-Eki-2017 |
Yayıncı: | Uludağ Üniversitesi |
Atıf: | Can, N. ve Altındal, A. (2017). "Impedance spectroscopy and dielectric relaxation in phthalocyanine thin film". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 22(3), 145-152. |
Özet: | Dielectric relaxation behavior of spin coated thin film of novel ball-type binuclear zinc(II) phthalocyanine were studied using impedance spectroscopy technique over a frequency range of 5– 13x106 Hz and temperatures (298 – 468 K). Simulation of the obtained impedance data indicated that the dielectric behaviour of the system can be modeled by a parallel RC electrical equivalent circuit. A frequency dependence in the form of ω m , where the index m is found strongly temperature dependent, was observed for the ac conductivity σac. Ac conductivity data were analyzed in terms two different models. The observed temperature dependence of the m indicate that the ac charge transport in Pc film take place via hopping process. Döndürerek kaplama yöntemiyle hazırlanan top tipi çinko (II) ftalosiyanin ince filmlerin dielektrik durulma davranışları 5 Hz. ile 13x106 Hz frekans aralığında sıcaklığa bağlı olarak (298 K – 468 K sıcaklık aralığında) empedans spektroskopi yöntemiyle incelenmiştir. Elde edilen verilerin modellenmesinde sistemin dielektrik davranışının paralel RC eşdeğer devre ile temsil edilebileceği görülmüştür. Filmlerde ac iletkenliğin frekansa bağlılığının ω m şeklinde olduğu ve frekansın üssü olan m parametresinin kuvvetle sıcaklığa bağlı olduğu gözlemlenmiştir. Deneysel olarak elde edilen ac iletkenlik verileri iki farklı model kullanılarak analiz edilmiştir. Frekansın üssü olan m parametresinin sıcaklığa bağlılığının incelenmesinde çinko (II) ftalosiyanin ince filmlerde ac yük iletiminin hoplama mekanizması sayesinde gerçekleştiği sonucuna varılmıştır. |
URI: | https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/400533 http://hdl.handle.net/11452/12260 |
ISSN: | 2148-4147 2148-4155 |
Koleksiyonlarda Görünür: | 2017 Cilt 22 Sayı 3 |
Bu öğenin dosyaları:
Dosya | Açıklama | Boyut | Biçim | |
---|---|---|---|---|
22_3_10.pdf | 1.18 MB | Adobe PDF | Göster/Aç |
Bu öğe kapsamında lisanslı Creative Commons License