Bu öğeden alıntı yapmak, öğeye bağlanmak için bu tanımlayıcıyı kullanınız: http://hdl.handle.net/11452/12556
Başlık: ZnSe/Si heteroeklem yapının fotoelektrik özelliklerinin incelenmesi
Diğer Başlıklar: Investigation of photoelectrical properties ZnSe/Si heterojunction structure
Yazarlar: Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü.
Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.
Kaplan, Hüseyin Kaan
Akay, Sertan Kemal
Anahtar kelimeler: Si
ZnSe
Heteroeklem
Fotoelektrik özellikler
Termal buharlaşma
Heterojunction
Photoelectrical properties
Thermal evaporation
Yayın Tarihi: 18-Mar-2019
Yayıncı: Bursa Uludağ Üniversitesi
Atıf: Kaplan, H. K. ve Akay, S. K. (2019). "ZnSe/Si heteroeklem yapının fotoelektrik özelliklerinin incelenmesi". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 24(1), 265-276.
Özet: ZnSe/Si Heteroeklem yapı, n-tipi silisyum (Si) alttaş üzerine çinko selenit (ZnSe) ince filmin termal buharlaşma tekniği kullanılarak kaplanmasıyla üretilmiştir. Üretilen filmin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri, x-ışınları kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve UV-vis spektrofotometre yardımıyla incelenmiştir. XRD ve SEM analizleri ZnSe ince filmin Si alttaş üzerini kaplayacak şekilde ve poli kristal yapıda olduğunu göstermektedir. ZnSe ince filmin Zn – Se elemental kompozisyonunun belirlenmesi için 5 farklı bölgede EDX analizi gerçekleştirilmiştir. Yasak enerji bant aralığı yaklaşıkça 2,86 eV olarak hesaplandı. Üretilen yapının elektriksel parametreleri hem standart yöntem hem de Cheung-Cheung yöntemiyle elde edildi. Akım – voltaj ölçümlerinden bariyer yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnç değerleri belirlendi. Ayrıca, heteroeklem yapının dalga boyuna bağlı foto tepki ölçümleri gerçekleştirildi.
The ZnSe/Si heterojunction structure was fabricated by coating ZnSe thin film onto n-type Si substrate using thermal evaporation technique. The structural and optical properties of the produced film were investigated by x-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and UV-vis spectrophotometer. The XRD and SEM analysis showed that ZnSe thin film is well coated on Si surface and has polycrystalline structure. EDX analysis was performed in 5 different regions in order to determine the elemental composition of ZnSe thin film. The energy band gap is found approximately 2.86 eV. Electrical parameters of the fabricated structure were determined with both standard method and Cheung-Cheung method. The ideality factor, barrier height and series resistance values were determined from current – voltage measurements. In addition, the wavelength dependent photo response measurements of heterojunction structure were performed.
URI: https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/724676
http://hdl.handle.net/11452/12556
ISSN: 2148-4147
2148-4155
Koleksiyonlarda Görünür:2019 Cilt 24 Sayı 1

Bu öğenin dosyaları:
Dosya Açıklama BoyutBiçim 
24_1_23.pdf1.19 MBAdobe PDFKüçük resim
Göster/Aç


Bu öğe kapsamında lisanslı Creative Commons License Creative Commons