Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11452/15290
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorPeksöz, Ahmet-
dc.contributor.authorKeser, Gökhan-
dc.date.accessioned2021-01-19T11:34:56Z-
dc.date.available2021-01-19T11:34:56Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationKeser, G. (2020). Depozisyon potansiyelinin cuInTe ince filmlerinin fiziksel özelliklerine etkisi. Yayınlanmamış doktora tezi. Bursa Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.tr_TR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/15290-
dc.description.abstractBakır indiyum tellürit (CIT) kalkopirit bileşikleri, suda çözünebilen Cu, In ve Te moleküler kaynaklarını içeren sulu bir elektrolitten indiyum kalay oksit kaplı cam alttaşlar üzerine elektrokimyasal olarak büyütüldü. Bakır, indiyum ve tellür kaynakları olarak CuSO4·5H2O, InCl3 ve Na2TeO3 kullanıldı. CIT ince filmlerinin kaplanma mekanizmaları döngüsel voltammetri (CV) çalışmaları ile açıklanmıştır. Ayrıca kaplanma potansiyelinin CIT ince filmlerinin elektrik, optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisi çalışılmıştır. Elektro depozit edilmiş CIT filmlerinin enerji bandı 0,97 ile 1,83 eV aralığındadır. -0,5, -0,6, -0,7 ve -0,8 V’ta üretilen CIT filmlerinin stokiyometrisi CuInTe2’ye yakındır. Üretilen CIT filmlerinin çoklu kristal yapıda olduğunu ve CuInTe2’nin sırasıyla 2θ ~ 25°, 41° ve 49°’de (1 1 2), (2 0 4) ve (1 1 6) yönelimlerine karşılık gelen ana kalkopirit fazı olduğu bulunmuştur. Hall-Etkisi ölçümleri, üretilen CIT ince filmlerinin, 2,8x10 ve 2,8x10 17 18 alıcı konsantrasyon aralığına ve üretilen tüm filmlerin p-tipi yarı iletken karaktere sahip olduğunu göstermiştir. 20,4 - 60,2 cm -3 cm /Vs aralığındaki mobilite değişimi CIT filmlerin 2,19 ile 0,59 aralığındaki farklı Cu/In oranları ile açıklanabilir. Filmlerin özdirenci 0,011 - 0,036 Ωcm arasındadır. Bu sonuçlar literatürle çok iyi bir uyum göstermektedir.tr_TR
dc.description.abstractCopper indium tellurite (CIT) chalcopyrite compounds were electrochemically grown from an aqueous electrolyte including water soluble Cu, In and Te molecular sources onto indium thin oxide coated glass substrates. CuSO4·5H2O, InCl3 and Na2TeO3 were used as copper, indium, and tellurium sources, respectively. Deposition mechanisms of the CIT thin films are explained by cyclic voltammetry (CV) studies. It is also note the effect of deposition potential on the electrical, optical and structural facilities of the electrodeposited CIT thin films. Energy band gap of the electrodeposited CIT films is in the range of 0,97-1,83 eV. Stoichiometry of the CIT films deposited at -0,5 V, -0,6 V, 0,7V and -0,8 V is near to CuInTe2. We report that the produced CIT films is polycrystalline nature, and CuInTe2 is major chalcopyrite phase corresponding to (1 1 2), (2 0 4) and (1 1 6) directions at 2θ~25°, 41° and 49°, respectively. Hall-Effect measurements show that the produced CIT thin films have p-type semiconducting conductivity with the acceptor concentration range of 2,8x10 17 /Vs can be explained by the variation of Cu/In ratio within 2,19-0,59. The resistivity of the films is found to vary within 0,011-0,036 Ωcm, which are in good agreement with the literature data.en_US
dc.format.extentXII, 82 sayfatr_TR
dc.language.isotrtr_TR
dc.publisherBursa Uludağ Üniversitesitr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.rightsAtıf 4.0 Uluslararasıtr_TR
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/*
dc.subjectOptik bant aralığıtr_TR
dc.subjectP-type semiconductortr_TR
dc.subjectCIT ince filmlertr_TR
dc.subjectCuInTe2 fazıtr_TR
dc.subjectCIT thin filmsen_US
dc.subjectCuInTe2 phaseen_US
dc.subjectElektrodepozisyontr_TR
dc.subjectElectrodepositiontr_TR
dc.subjectOptical band gapen_US
dc.subjectP-tipi yarıiletkentr_TR
dc.titleDepozisyon potansiyelinin cuInTe ince filmlerinin fiziksel özelliklerine etkisitr_TR
dc.title.alternativeThe effect of depozisyon potential on on the physical properties of cuInTe thin filmsen_US
dc.typedoctoralThesisen_US
dc.relation.publicationcategoryTeztr_TR
dc.contributor.departmentBursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.tr_TR
dc.contributor.orcid0000-0003-2382-6027tr_TR
Appears in Collections:Fen Bilimleri Doktora Tezleri / PhD Dissertations

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Gökhan Keser.pdf4.76 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons