1. Açık Erişim@BUU

Search


Current filters:
Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.

 | 
Results 1-8 of 8 (Search time: 0.004 seconds).
  • previous
  • 1
  • next
Item hits:
Issue DateTitleAuthor(s)
2015-11Effects of post deposition annealing, interface states and series resistance on electrical characteristics of HfO2 MOS capacitorsYılmaz, Ercan; Kaya, Şenol; Aktağ, Aliekber; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2015-09-01Frequency dependent gamma-ray irradiation response of Sm2O3 MOS capacitorsKaya, Şenol; Yılmaz, Ercan; Karaçalı, Hüseyin; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül G.; AAH-6441-2021; 47161190600
2017-10-10Proposal of alternative sensitive region for MOS based radiation sensors: Yb2O3Yılmaz, Ercan; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2018-11A comprehensive study on usage of Gd2O3 dielectric in MOS based radiation sensors considering frequency dependent radiation responseYılmaz, Ercan; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2016-04Evaluation of radiation sensor aspects of Er2O3 MOS capacitors under zero gate biasYılmaz, Ercan; Aktağ, Aliekber; Kaya, Şenol; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2017-10Irradiation response of radio-frequency sputtered Al/Gd2O3/p-Si MOS capacitorsYılmaz, Ercan; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyet Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2020-12The effect and nature of the radiation induced oxide-interface traps on the performance of the Yb2O3 MOS deviceGürer, Umutcan; Yılmaz, Ercan; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2020-03-28Influence of frequency and gamma irradiation on the electrical characteristics of Er2O3, Gd2O3, Yb2O3, and HfO2 MOS-based devicesDeevi, Seetharama C.; Yılmaz, Ercan; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; 47161190600

Discover