Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11452/2137
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorAkay, Sertan Kemal-
dc.contributor.authorKaplan, Hüseyin Kaan-
dc.date.accessioned2019-12-02T13:36:15Z-
dc.date.available2019-12-02T13:36:15Z-
dc.date.issued2017-06-12-
dc.identifier.citationKaplan, H. K. (2017). Zns/si heteroeklem diyotların yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.tr_TR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/2137-
dc.description.abstractBu tez çalışmasında, termiyonik vakum ark yöntemi kullanılarak p-tipi Si alt-taş üzerine ZnS ince film biriktirilerek ZnS/p-Si heteroeklem diyot elde edildi. ZnS ince filmin kristal yapısını ve yüzey morfolojisini belirlemek için X-ışınları kırınımı (XRD) ve Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) kullanıldı. XRD sonuçları, ZnS ince filmin çinko-blend kristal yapıya sahip olduğunu göstermektedir. AFM sonuçlarından, ZnS ince filmin 2,64 nm yüzey pürüzlülük değeri ile oldukça düzgün bir yüzey morfolojisine sahip olduğunu görülmektedir. Filmin optik karakterizasyonu için optik soğurma ve geçirgenlik spektrumları bir cam alt-taş üzerine biriktirilen ZnS ince filmden ölçülmüştür. ZnS ince filmin yasak bant genişliği optik soğurma spektrumundan 3,78 eV olarak hesaplanmıştır. Filmin elektriksel iletkenlik tipi ve yük taşıyıcı yoğunluğu Hall Etkisi ölçümüyle n-tipi ve 3,1x1017 cm-3 olarak ölçüldü. Oda sıcaklığı akım – voltaj ölçümleri karanlık ve ışık altı şartlarında gerçekleştirildi. Işık altında yapılan I-V ölçümlerinden ZnS/p-Si heteroeklem diyotun ışığa duyarlı olduğu görülmektedir. Karanlık I-V ölçümlerinden ZnS/p-Si heteroeklem diyotun mükemmel bir doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Ek olarak, idealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç değerleri karanlık ve ışık altındaki I-V ölçümlerinden sırasıyla, 2,72, 0,72 eV, 3,2 kΩ ve 2,37, 0,68 eV, 2,6 kΩ olarak hesaplandı. Ayrıca, oda sıcaklığı kapasitans – voltaj ölçümleri de ZnS ile p-Si arasındaki eklem ara yüzeyi hakkında ek bilgi edinmek, bariyer yüksekliği ve yük taşıyıcı yoğunluğunu belirlemek için farklı frekanslarda gerçekleştirildi.1,5 MHz'de yapılan ölçümden hesaplanan bariyer yüksekliği değeri 0,82 olarak belirlendi.tr_TR
dc.description.abstractIn this thesis, ZnS/p-Si heterojunction diode was produced by depositing ZnS thin film on the p-type Si wafer using Thermionic Vacuum Arc method (TVA). To determine the crystal structure and the surface morphology of the ZnS thin film X-ray diffraction (XRD) and Atomic force microscope (AFM) have been used. XRD results showed that the ZnS thin film has zincblende crystalline structure. AFM analysis results showed that the film has a smooth surface morphology with 2,64 nm average surface roughness. For optical characterization of the film, optical absorption and transmission spectra were measured from the ZnS thin film deposited on a glass substrate. The band gap of the ZnS thin film was calculated to be 3,78 eV from the optical absorption spectra. The electrical conduction type and the charge carrier concentration were measured as n-type and 3,1x1017 cm-3 by Hall Effect measurements. Room temperature current - voltage measurements were applied under conditions of illumination and dark. Under illumination I-V measurements showed that the ZnS/p-Si heterojunction diode is light sensitive. And the dark I-V measurements showed that the ZnS/p-Si heterojunction diode has an excellent rectification behavior. In addition, the ideality factor, barrier height and series resistance values were calculated from dark and illuminated I-V measurements as, 2,72, 0,72 eV, 3,2 kΩ and 2,37, 0,68 eV, 2,6 kΩ, respectively. Room temperature capacitance – voltage measurement were also performed in different frequencies to obtain additional information about the junction interface between the ZnS thin film and p-Si wafer, and to calculate the barrier height and charge carrier concentration. The barrier height value which calculated from the measurement at 1,5 MHz is 0,82 eV.en_US
dc.format.extentIX, 47 sayfatr_TR
dc.language.isotrtr_TR
dc.publisherUludağ Üniversitesitr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.rightsAtıf 4.0 Uluslararasıtr_TR
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/*
dc.subjectTermiyonik vakum arktr_TR
dc.subjectZnstr_TR
dc.subjectP-sitr_TR
dc.subjectHeteroeklemtr_TR
dc.subjectDiyottr_TR
dc.subjectİnce filmtr_TR
dc.subjectThermionic vacuum arcen_US
dc.subjectHeterojunctionen_US
dc.subjectDiodeen_US
dc.subjectThin filmen_US
dc.titleZns/si heteroeklem diyotların yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesitr_TR
dc.title.alternativeThe investigation of structural, electrical and optical properties of the zns/si heterojunction diodesen_US
dc.typemasterThesisen_US
dc.relation.publicationcategoryTeztr_TR
dc.contributor.departmentUludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.tr_TR
Appears in Collections:Fen Bilimleri Yüksek Lisans Tezleri / Master Degree

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
497214.pdf4.81 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons