Bursa Uludağ Üniversitesi Açık Erişim Sistemi
Bursa Uludağ Üniversitesinin araştırma çıktılarının yer aldığı açık erişim sistemidir.
Bu öğeden alıntı yapmak, öğeye bağlanmak için bu tanımlayıcıyı kullanınız:
http://hdl.handle.net/11452/25898| Başlık: | Narrow gap III-V materials for infrared photodiodes and thermophotovoltaic cells |
| Yazarlar: | Kunitsyna, Ekaterina V. Andreev, Igor A. Sherstnev, Victor V. L'Vova, T. V. Mikhaǐlova, Maya P. Yakovlev, Yu P. Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü. Ahmetoğlu, Muhitdin A. Kaynak, Gökay Gürler, Orhan AAH-1837-2021 16021109400 12042075600 14019444500 |
| Anahtar kelimeler: | III-V semiconductors Passivation Photodiodes TPV cells Rare-earth-elements Technology Ingaasp Materials science Optics Arsenic compounds Characterization Gallium compounds III-V semiconductors Indium arsenide Narrow band gap semiconductors Passivation Photodiodes Semiconductor alloys Semiconductor doping Sodium sulfide Solutions Emitter temperature Growth surfaces High-efficiency III-V materials Infrared photodiode Long wavelength Thermophoto voltaic cells Thermophotovoltaic applications Sulfur compounds |
| Yayın Tarihi: | Eki-2010 |
| Yayıncı: | Elsevier |
| Atıf: | Kunitsyna, E. V. vd. (2010). "Narrow gap III-V materials for infrared photodiodes and thermophotovoltaic cells". Optical Materials, 32(12), 1573-1577. |
| Özet: | The paper describes liquid phase epitaxial growth and characterization of the GaSb- and InAs-related materials for the photodiodes and thermophotovoltaic applications. It was shown that doping of the melt with holmium results in obtaining the high purity GaInAsSb and InAs layers. The passivation with the 1 M Na2S aqueous solution makes it possible to prepare flat growth surfaces of GaSb(1 0 0) and InAs(1 0 0) substrates after annealing. A reproducible technique has been developed for fabrication of the high-efficiency GaInAsSb/GaAlAsSb and InAs/InAsSbP photodiodes with the long-wavelength photosensitivity edge of 2.4 and 3.8 mu m, respectively. Room temperature detectivity in the spectral peak reaches D* = (0.8-1.0) x 10(11) W-1 cm Hz(1/2) for the GaInAsSb/GaAlAsSb photodiodes and D* = (3.0-5.0) x 109 W-1 cm Hz(1/2) for the InAs/InAsSbP devices. We have adapted the technology for thermophotovoltaic cells operating at an emitter temperature of 1000-1700 degrees |
| Açıklama: | Bu çalışma, 4-8 Şubat 2010 tarihlerinde İstanbul[Türkiye]'da düzenlenen 2. World Conference on Educational Sciences (WCES-2010)'da bildiri olarak sunulmuştur. |
| URI: | https://doi.org/10.1016/j.optmat.2010.06.010 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346710002612 http://hdl.handle.net/11452/25898 |
| ISSN: | 0925-3467 1873-1252 |
| Koleksiyonlarda Görünür: | Scopus Web of Science |
Bu öğenin dosyaları:
Bu öğeyle ilişkili dosya bulunmamaktadır.
DSpace'deki bütün öğeler, aksi belirtilmedikçe, tüm hakları saklı tutulmak şartıyla telif hakkı ile korunmaktadır.