İnfrared bölgede çalışan pin fotodiyotların elektrik ve fotoelektrik özelliklerine göre incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, Si pin fotodiyotlar ile çalışılmıştır. Si pin fotodiyota ait akım ve gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen I - V değişim grafikleri yardımı ile, ideallik faktörü (p) belirlenmiştir. İdeallik faktörü yardımı ile fotodiyotta baskın olan akım mekanizmaları tespit edilmiştir. I - V ölçümlerinden sonra C - V ölçümleri alınmış, bu ölçümler yardımı ile katkı yoğunluğu (NB) ve katkı bölgesi genişliği (W) elde edilmiştir. Son bölümde Si pin fotodiyot üzerindeki aydınlatma etkisine değmilrniş, aydınlatmama Si pin fotodiyota ait; duyarlılık, sığa ve akım parametrelerine olan etkisi incelenmiştir.

In this study, we have studied with si pin photodiodes. The current and voltage characteristics of the Si pin photodiodes have been researched and with the help of the I-V change graphics which are obtained via the research, the ideal factor is determined. With the help of the ideal factor the dominant current mechanism on the photodiode is determined. After the I - V measurements the C - V measurements are taken and with the help of these measurements, the doping density and doping region width are obtained. In the last part, the iUumination effect on the Si pin photodiode is mentioned, and the effect of the illumination on the sensitivity, capacitance and current parameters of the Si pin photodiode is researched.