Bursa Uludağ Üniversitesi Açık Erişim Sistemi
Bursa Uludağ Üniversitesinin araştırma çıktılarının yer aldığı açık erişim sistemidir.
Bu öğeden alıntı yapmak, öğeye bağlanmak için bu tanımlayıcıyı kullanınız:
http://hdl.handle.net/11452/25550| Başlık: | Electrical properties of GaAs-GaAlAs near infrared light emitting diodes |
| Yazarlar: | Uludağ Üniversitesi/Fen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü. Uludağ Üniversitesi/Teknik Bilimler Meslek Yüksekokulu/Mekatronik Programı Bölümü. Ahmetoğlu, Muhitdin Kucur, Banu Gücüyener, İsmet 16021109400 36903670200 15834767100 |
| Anahtar kelimeler: | Materials science Optics Light emitting diode Avalanche breakdown I-V characteristics Aluminum gallium arsenide Diodes Gallium arsenide III-V semiconductors Infrared devices Light emitting diodes Semiconducting gallium Infrared light emitting diodes IV characteristics Near infrared light Avalanche diodes |
| Yayın Tarihi: | 2012 |
| Yayıncı: | Natl Inst Optoelectronics |
| Atıf: | Ahmetoğlu, M. vd. (2012). "Electrical properties of GaAs-GaAlAs near infrared light emitting diodes". Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 6(9-10), 782-784. |
| Özet: | The electrical properties have been studied for GaAs/AlxGa1-xAs based infrared light emitting diode. The characteristics of the device have been analyzed and unusual feature of the device was observed. It operates as avalanche photodiode when it is reverse biased, while it operates as light emitting diode (LED) when it is forward biased. |
| URI: | https://oam-rc.inoe.ro/volume/2012/6/9-10/September-October%202012/articles http://hdl.handle.net/11452/25550 |
| ISSN: | 1842-6573 2065-3824 |
| Koleksiyonlarda Görünür: | Scopus Web of Science |
Bu öğenin dosyaları:
Bu öğeyle ilişkili dosya bulunmamaktadır.
DSpace'deki bütün öğeler, aksi belirtilmedikçe, tüm hakları saklı tutulmak şartıyla telif hakkı ile korunmaktadır.